硅片研磨液用白刚玉微粉1500目 2000目 3000目白色电熔氧化铝微粉
白刚玉微粉用于硅片研磨液的高纯白刚玉微粉，采用优质氧化铝粉为原料，经2200℃以上高温电熔冶炼、结晶、破碎、精密分级等先进工艺制成。
白刚玉微粉呈纯净白色，氧化铝（Al₂O₃）含量高达99%以上，具有硬度高、粒度分布集中、自锐性优异、化学稳定性好等特点，是半导体硅片、光伏单晶硅片、多晶硅片研磨抛光的理想磨料。
产品规格与技术参数-硅片研磨液用白刚玉微粉1500目 2000目 3000目白色电熔氧化铝微粉
| 规格 | 对应粒度号 | D50中值(μm) | 主要特点 | 适用工序 |
|---|---|---|---|---|
| 1500目 | W10 | 10.0±0.5 | 切削力强，去除率高 | 硅片粗磨、背减薄 |
| 2000目 | W7 | 7.0±0.4 | 切削与光洁度平衡 | 硅片中磨、过渡抛光 |
| 3000目 | W5 | 5.0±0.3 | 表面光洁度高 | 硅片精抛、边缘抛光 |
产品物化指标-硅片研磨液用白刚玉微粉1500目 2000目 3000目白色电熔氧化铝微粉
化学成分
Al2O3 | Fe2O3 | Na2O | MgO | K2O | CaO | SiO2 |
99.35-99.50% | ≤0.06% | ≤0.30% | ≤0.01% | ≤0.03% | ≤0.05% | ≤0.15% |
物理特性
莫氏硬度 | 比重 | 堆积密度 | PH值 | 耐火度 |
9.0 | ≥3.90g/cm3 | 1.53-1.99g/cm3 | 7.0 | 2100℃ |
磨料粒度组成标准
粒度 | D0 | D3 | D50 | D94 |
#240 | 127以下 | 103以下 | 57.0±3.0 | 40以上 |
#280 | 112以下 | 87以下 | 48.0±3.0 | 33以上 |
#320 | 98以下 | 74以下 | 40.0±2.5 | 27以上 |
#360 | 86以下 | 66以下 | 35.0±2.0 | 23以上 |
#400 | 75以下 | 58以下 | 30.0±2.0 | 20以上 |
#500 | 63以下 | 50以下 | 25.0±2.0 | 16以上 |
#600 | 53以下 | 41以下 | 20.0±1.5 | 13以上 |
#700 | 45以下 | 37以下 | 17.0±1.5 | 11以上 |
#800 | 38以下 | 31以下 | 14.0±1.0 | 9.0以上 |
#1000 | 32以下 | 27以下 | 11.5.±1.0 | 7.0以上 |
#1200 | 27以下 | 23以下 | 9.5±0.8 | 5.5以上 |
#1500 | 23以下 | 20以下 | 8.0±0.6 | 4.5以上 |
#2000 | 19以下 | 17以下 | 6.7±0.6 | 4.0以上 |
#2500 | 16以下 | 14以下 | 5.5±0.5 | 3.0以上 |
#3000 | 13以下 | 11以下 | 4.0±0.5 | 2.0以上 |
#4000 | 11以下 | 8.0以下 | 3.0±0.4 | 1.8以上 |
#6000 | 8.0以下 | 5.0以下 | 2.0±0.4 | 0.8以上 |
#8000 | 6.0以下 | 3.5以下 | 1.2±0.3 | 0.6以上 |
核心性能优势-硅片研磨液用白刚玉微粉1500目 2000目 3000目白色电熔氧化铝微粉
1. 高硬度，切削力强
白刚玉莫氏硬度高达9.0，仅次于金刚石和碳化硅，能够有效切削硅材料（莫氏硬度约7）。采用本产品配制的研磨液，材料去除效率高，可显著缩短加工时间，提升生产效率。
2. 粒度分布集中，避免划伤
通过精密溢流分级工艺，本产品粒度分布范围窄，D100（最大颗粒）得到严格控制。粒径均匀意味着研磨压力分布均匀，不会产生深划痕或凹坑，确保硅片表面光洁度和尺寸精度，满足高端半导体对表面质量的严苛要求。
3. 高纯度，杜绝金属污染
本产品氧化铝含量≥99%，Fe₂O₃杂质含量≤0.05%，远低于行业标准。在研磨过程中不会与硅片发生化学反应，完全避免金属离子污染——这对半导体制造工艺至关重要，可直接提升芯片良率。
4. 自锐性优异，保持研磨效率
白刚玉晶体在破碎后能形成新的锋利切削刃，这种独特的“自锐性”保证了研磨过程中磨料的持续切削能力，不会因磨料钝化导致加工效率下降，延长研磨液的使用寿命。
5. 化学稳定性好，适应多种介质
产品耐酸碱腐蚀，化学性质稳定，与水性或油性研磨液介质均具有良好的相容性，可灵活配制不同类型研磨液，满足不同客户的工艺需求。
典型应用场景-硅片研磨液用白刚玉微粉1500目 2000目 3000目白色电熔氧化铝微粉
| 应用领域 | 具体用途 | 推荐规格 |
|---|---|---|
| 半导体硅片 | 晶圆背减薄、边缘抛光、双面研磨 | 3000目、2000目 |
| 光伏单晶硅片 | 硅片粗磨、表面平整化 | 1500目、2000目 |
| 光伏多晶硅片 | 硅片研磨抛光 | 2000目、3000目 |
| 其他半导体材料 | 碳化硅衬底、蓝宝石衬底研磨 | 1500目、2000目、3000目 |
研磨液配制建议
磨料选择：根据加工阶段选择相应规格——粗磨用1500目，精抛用3000目
添加比例：建议白刚玉微粉占研磨液总质量的10%-30%
分散介质：可采用高纯去离子水或油性介质，加入适量分散剂确保均匀分散
分散工艺：采用高速分散或球磨工艺，确保微粉充分分散无团聚
使用设备：适用于双面研磨机、单面抛光机、边缘研磨机等硅片加工设备
包装与储存
包装规格：25kg/袋，内衬防潮袋，外覆编织袋
储存条件：密封存放于干燥阴凉处，避免受潮结块
保质期：24个月（在未开封、储存条件适宜的情况下）
