半导体晶片研磨粉99含量平板状氧化铝抛光粉等同于FUJIMI品质PWA15
99% 高纯度平板状氧化铝抛光粉为半导体晶片专用精密研磨耗材，采用定向高温煅烧晶体塑形工艺制成六边形平滑片状结构，产品性能、抛光效果可完全对标日本 FUJIMI PWA15 抛光粉，实现进口产品国产化替代，适配硅片、磷化铟、砷化镓、蓝宝石等各类脆性半导体衬底 CMP 研磨抛光工序。
传统普通氧化铝颗粒棱角尖锐，抛光时易划伤超薄晶片，产生较厚亚表层损伤层，降低芯片外延良品率。本品颗粒边缘圆润无尖角，研磨过程中以片状平面贴合晶片表面，依靠均匀滑移摩擦完成材料去除，切削作用力柔和分散，可有效抑制微划痕、晶格缺陷、表面雾斑等不良问题，抛光后衬底全局平整度、光洁度均可达到 FUJIMI PWA15 同等水准，满足光通信、射频半导体高端制造严苛标准。
产品氧化铝纯度稳定≥99%，严格管控铁、硅、重金属等有害微量杂质，从源头避免晶片离子污染，保障元器件电学性能稳定。粒度分布窄、粒径一致性高，粉体分散性优异，调配水性抛光液后长期循环不易团聚沉降，适配各类高速抛光设备，研磨去除速率与 FUJIMI PWA15 持平，加工良率无明显差距。
粉体化学惰性强，耐酸碱抛光液体系，不与半导体基材发生反应，磨料损耗均匀，使用寿命稳定。相较于进口 FUJIMI PWA15，本品供货周期短、综合成本更低，无采购交期受限风险。
广泛用于 6/8 英寸化合物半导体晶片、光伏超薄硅片、光学晶体衬底粗抛与镜面精抛，性能对标一线进口抛光粉，兼顾高精度抛光效果与成本优势，是半导体抛光液厂商、晶圆加工企业替换 FUJIMI PWA15 的优选国产研磨粉体。
产品特性 | 平板状 |
| 是否进口 | 否 |
| 产地 | 河南 |
| 品牌 | 海旭磨料 HAIXU ABRASIVES |
| 型号 | #400/A40 #500/A35 #600/A30 #700/A25 #800/A20 #1200/A15 #1500/A12 #2000/A9 #3000/A5 #4000/A3 |
| 种类 | 平板状氧化铝 |
| 规格 | 2-30微米 |
| 材质 | 氧化铝 |
| 粒度 | 400-4000目 |
| 适用范围 | CMP抛光液生产用磨料平板状氧化铝片状氧化铝 |
产品介绍-半导体晶片研磨粉99含量平板状氧化铝抛光粉等同于FUJIMI品质PWA15
产品参数-半导体晶片研磨粉99含量平板状氧化铝抛光粉等同于FUJIMI品质PWA15
化学成分
Al2O3 | ＞99.0% |
SiO2 | ＜0.2% |
Fe2O3 | ＜0.1% |
Na2O | ＜1% |
物理特性
莫氏硬度 | 9.0 |
比重 | ＞3.9g/cm3 |
外观 | 平板状 |
粒度分布组成
粒度 | D0(um) | D3(um) | D50(um) | D94(um) |
#400/A40 | <77.6 | 39.0-44.6 | 27.7-31.7 | 18.0-20.0 |
#500/A35 | <64.2 | 35.4-39.8 | 23.8-27.2 | 15.0-17.0 |
#600/A30 | <50.4 | 28.1-32.3 | 19.2-22.3 | 13.4-15.6 |
#700/A25 | <40.1 | 24.4-28.2 | 16.1-18.7 | 9.6-11.2 |
#800/A20 | <32.0 | 20.9-24.1 | 13.1-15.3 | 8.2-9.8 |
#1200/A15 | <25.2 | 14.8-17.2 | 9.4-11.0 | 5.8-6.8 |
#1500/A12 | <20.3 | 11.8-13.8 | 7.6-8.8 | 4.5-5.3 |
#2000/A9 | <16.3 | 8.9-10.5 | 5.9-6.9 | 3.3-3.9 |
#3000/A5 | <12.5 | 6.6-7.8 | 4.3-5.1 | 2.55-3.05 |
#4000/A3 | <10.0 | 4.8-5.6 | 2.8-3.4 | 1.5-2.1 |
产品用途-半导体晶片研磨粉99含量平板状氧化铝抛光粉等同于FUJIMI品质PWA15
l 半导体行业: 单晶硅片、硅质晶圆、压电石英晶体、化合物半导体（砷化镓、磷化铟）的研磨抛光。
l 玻璃行业: 水晶，石英玻璃，显象管玻壳屏，光学玻璃，液晶显示器（LCD）玻璃基板，压电石英晶体的研磨加工。
l 涂附行业: 特种涂料和等离子喷涂的填充剂。
l 金属和陶瓷加工业: 精密陶瓷材料，烧结陶瓷原料，高档高温涂料等。
包装：
10公斤小袋+20公斤纸箱+1吨托盘
